近紅外成像使您能夠?qū)θ庋蹮o法看到的電子元件進(jìn)行顯微鏡檢測。以下是近紅外成像在工業(yè)檢測中的一些強(qiáng)有力的方式：

1.檢查晶圓水平芯片級封裝（CSP）中的芯片損壞。

晶圓水平芯片級封裝是晶圓水平的集成電路封裝。使用顯微鏡的近紅外成像可用于對熱濕測試中出現(xiàn)的芯片損壞進(jìn)行無損檢測。紅外顯微鏡能夠透過硅成像，因此您可以觀察到熔煉泄漏、銅線腐蝕、樹脂工件剝落以及其他問題。

2.進(jìn)行倒裝芯片無損分析。

顧名思義，倒裝芯片是一種將芯片有效面積翻轉(zhuǎn)，直接安裝在基板、電路板或載體上的芯片封裝方法。一旦倒裝芯片被附著在工件上，就無法用可見光對芯片圖案進(jìn)行檢測。相比之下，紅外顯微鏡使您能夠透過硅對內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢查，不會對已安裝的芯片造成破壞。這也是確定應(yīng)進(jìn)行聚焦離子束（FIB）處理區(qū)域的有效方法。

3.判斷晶圓研磨量。

晶圓研磨是一個半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)步驟，目的是降低晶圓厚度。需通過研磨使設(shè)備變薄，因此對晶圓兩面進(jìn)行測量的需求也相應(yīng)增加。然而，要測量疊層晶圓兩面的研磨量非常困難。紅外顯微鏡系統(tǒng)可以透過材料進(jìn)行成像，在晶圓的正面和背面聚焦，使您能夠獲得大致距離。然后，您可以通過測量物鏡的Z軸移動狀態(tài)來判斷研磨的程度。

4.判斷3D安裝配置中的芯片縫隙。

紅外顯微鏡還可以協(xié)助進(jìn)行硅縫隙管理。三維（3D）安裝配置中的芯片縫隙可以通過測量紅外光透過硅聚焦在芯片和中介層上時物鏡的移動狀態(tài)來進(jìn)行無損判斷。這種方法也可用于微電子機(jī)械系統(tǒng)設(shè)備的測量和空心構(gòu)造。

5.對一系列高難度樣品進(jìn)行成像。

可使用較大的波長的短波紅外（SWIR）成像（如1300-1500納米范圍）對難度更高的樣品進(jìn)行成像，例如微電子機(jī)械系統(tǒng)設(shè)備、重?fù)诫s硅樣品、表面粗糙的樣品、晶圓粘結(jié)和3D芯片堆棧。這種方法可以使用更敏感的成像系統(tǒng)，如砷化銦鎵（InGaAs）攝像頭。在反射光或透射光顯微鏡下，專用紅外物鏡、高功率照明和InGaAs攝像頭所帶來的信號優(yōu)勢，讓人們可以對難度更高的樣品進(jìn)行成像。